富士通近日宣布了2 Mbit Ferroelectric RAM (鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱(chēng)FRAM或FeRAM)內(nèi)存芯片的問(wèn)世。該產(chǎn)品的電氣特性和之前該公司的1 Mbit FeRAM一樣，也采用相同的TSOP-48封裝，但容量提高到原來(lái)的兩倍。

FeRAM是一種非易失性?xún)?nèi)存，利用一種鐵電薄膜來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，寫(xiě)入速度比閃存更快，而功率則更低，寫(xiě)入次數(shù)更多。
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富士通表示FeRAM可以用于智能電表、辦公設(shè)備存儲(chǔ)事件計(jì)數(shù)，或者存儲(chǔ)每個(gè)事件的不同參數(shù)及日志，而不必考慮寫(xiě)入次數(shù)問(wèn)題。FeRAM允許100億次讀寫(xiě)周期，相當(dāng)于每秒寫(xiě)入30次持續(xù)10年。另外，F(xiàn)eRAM無(wú)需電池就可以將數(shù)據(jù)保存10年以上。

FeRAM另一個(gè)理想的應(yīng)用是車(chē)輛導(dǎo)航系統(tǒng)、多功能打印機(jī)、測(cè)量?jī)x器等等非易失性?xún)?nèi)存用于存儲(chǔ)各種參數(shù)、記錄設(shè)備操作環(huán)境或者安全信息的領(lǐng)域。